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深圳市拓瑞鑫科技有限公司
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产品信息
64Mx16移动DDR SDRAM
产品特点
• VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V
•双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
•双向数据选通（ DQS ）
•四家银行的操作
•差分时钟输入（ CK和CK ）
•
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 3 ）
-
突发长度（2 ，4，8 ，16）
- 突发类型（顺序&交错）
• EMRS周期地址重点项目
- 部分阵列自刷新（全， 1/2，1/4阵列）
- 输出驱动强度控制（全， 1/2，1/4 ， 1/8）
•内部温度补偿自刷新
•除了数据& DM所有输入进行采样，系统时钟（ CK ）的正向优势。
•数据选通信号， DM为屏蔽的两端数据的I / O事务。
•边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
•无DLL ; CK到DQS不同步。
• LMD ， UMD只写屏蔽。
•
自动刷新占空比
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7.8us为-25 〜85